国家知识产权局信息数据显现,姑苏信越半导体有限公司请求一项名为“一种分子束外延化合物半导体成长速率定标的办法”的专利,公开号CN121250543A,请求日期为2025年9月。
专利摘要显现,本发明供给了一种分子束外延化合物半导体成长速率定标的办法,所描绘的办法包含:翻开多族束源炉快门,在衬底上进行外延结构的成长,进行激光反射干与测验,得到实时激光反射谱,核算对应成长温度下的成长速率;调整束源炉温度,核算对应成长温度下的成长速率,得出成长速率与成长温度的曲线;完结激光反射干与测验后,完结悉数外延结构成长,表征外延结构厚度,核算成长速率,校准成长速率与成长温度的曲线。本发明经过激光反射率干与法,克服了RHEED振动周期数受限导致的模仿核算误差,来提升了in‑situ定标的准确性,一起结合ex‑situ,对成长速率曲线进行校准,以此来完成了在单轮成长中高精度标定分子束外延的成长速率。
天眼查资料显现,姑苏信越半导体有限公司,成立于2021年,坐落姑苏市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本6007.5386万人民币。经过天眼查大数据分析,姑苏信越半导体有限公司共对外出资了3家企业,参加招投标项目3次,产业线条,此外企业还具有行政许可12个。
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